MMBT5401 vs MMBT5551

Bảng so sánh chi tiết giữa MMBT5401 và MMBT5551 cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBT5401

onsemi

Lifecycle
Active
Stock
6921 PCS
Package
SOT-23-3
Series
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Part B

MMBT5551

Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.

Lifecycle
Active
Stock
3024 PCS
Series
Transistors - Bipolar (BJT) - Single Bipolar Transistors

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification MMBT5401 MMBT5551
Part Status Obsolete Active
Transistor Type PNP NPN
Current - Collector(Ic)(Max) 600 mA -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 150 V -
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 500mV @ 5mA, 50mA -
Current - Collector Cutoff(Max) 50nA (ICBO) -
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 60 @ 10mA, 5V -
Power - Max 350 mW 350 mW
Frequency - Transition 300MHz 300MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Collector (Ic) (Max) - 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) - 160 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic - 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max) - 50µA
DC Current Gain (h FE) (Min) @ Ic, Vce - 80 @ 10mA, 5V
Packaging - Tape & Reel (TR)