MUN5211DW1T1G vs MUN5232T1

Bảng so sánh chi tiết giữa MUN5211DW1T1G và MUN5232T1 cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MUN5211DW1T1G

onsemi

Lifecycle
Active
Stock
4451 PCS
Package
SOT-363-6
Series
Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
+BOM RFQ
Part B

MUN5232T1

onsemi

Lifecycle
Active
Stock
7257 PCS
Package
SOT-323
Series
Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification MUN5211DW1T1G MUN5232T1
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual) NPN - Pre-Biased
Current - Collector(Ic)(Max) 100mA 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50V 50 V
Resistor - Base(R1) 10kOhms 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base(R2) 10kOhms 4.7 kOhms
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 35 @ 5mA, 10V 15 @ 5mA, 10V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max) 500nA 500nA
Power - Max 250mW 202 mW
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ