NCP5106BDR2G vs NCP5111DR2G

Bảng so sánh chi tiết giữa NCP5106BDR2G và NCP5111DR2G cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

NCP5106BDR2G

onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 5795 PCS
Package: SOIC-8
Series: PMIC - Gate Drivers

+BOM RFQ

Part B

NCP5111DR2G

onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 2937 PCS
Package: SOIC-8
Series: PMIC - Gate Drivers

+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	NCP5106BDR2G	NCP5111DR2G
Part Status	Active	Active
Driven Configuration	Half-Bridge	Half-Bridge
Channel Type	Independent	Synchronous
Number of Drivers	2	2
Gate Type	IGBT, N-Channel MOSFET	IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply	10V ~ 20V	10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH	0.8V, 2.3V	0.8V, 2.3V
Current - Peak Output(Source Sink)	250mA, 500mA	250mA, 500mA
Input Type	Non-Inverting	Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap)	600 V	600 V
Rise / Fall Time(Typ)	85ns, 35ns	85ns, 35ns
Operating Temperature	-40°C ~ 125°C (TJ)	-40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ