NCP5106BDR2G vs NCP51145PDR2G So sánh
Bảng so sánh chi tiết giữa NCP5106BDR2G và NCP51145PDR2G cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Gói
SOIC-8
SOIC-8
Mô tả
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
IC REG LDO DDR 1OUT 8SOIC
Part Status
Active
Obsolete
Applications
-
LDO (Linear), DDR
Voltage - Input
-
1V ~ 5.5V
Number of Outputs
-
1
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C (TJ)
-40°C ~ 85°C
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Driven Configuration
Half-Bridge
-
Channel Type
Independent
-
Number of Drivers
2
-
Gate Type
IGBT, N-Channel MOSFET
-
Voltage - Supply
10V ~ 20V
-
Logic Voltage - VILVIH
0.8V, 2.3V
-
Current - Peak Output(Source Sink)
250mA, 500mA
-
Input Type
Non-Inverting
-
High Side Voltage - Max(Bootstrap)
600 V
-
Rise / Fall Time(Typ)
85ns, 35ns
-
