NVMFS4C01NT1G vs NVMFS5113PLT1G

Bảng so sánh chi tiết giữa NVMFS4C01NT1G và NVMFS5113PLT1G cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

NVMFS4C01NT1G

onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 4064 PCS
Package: SO-8FL-4
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

+BOM RFQ

Part B

NVMFS5113PLT1G

onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 3739 PCS
Package: SO-8FL
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	NVMFS4C01NT1G	NVMFS5113PLT1G
Series	Automotive, AEC-Q101	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	49A (Ta), 319A (Tc)	10A (Ta), 64A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	0.9mOhm @ 30A, 10V	14mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.2V @ 250µA	2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	139 nC @ 10 V	83 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	10144 pF @ 15 V	4400 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	3.84W (Ta), 161W (Tc)	3.8W (Ta), 150W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ