STF10N105K5 vs STF10NM60N

Bảng so sánh chi tiết giữa STF10N105K5 và STF10NM60N cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

STF10N105K5

STMicroelectronics

Lifecycle
Active
Stock
5541 PCS
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single FETs, MOSFETs
Part B

STF10NM60N

STMicroelectronics

Lifecycle
Active
Stock
5252 PCS
Package
TO-220F
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification STF10N105K5 STF10NM60N
Series MDmesh™ K5 MDmesh™ II
Part Status Active Active
Base Product Number STF10 -
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1050 V 600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 3A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.5 nC @ 10 V -
Vgs (Max) 30V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 545 pF @ 100 V -
Power Dissipation (Max) 30W (Tc) 25W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Packaging Tube -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 10A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 550mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 19 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±25V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 540 pF @ 50 V