STGW60V60DF vs STGW60H65DF

Bảng so sánh chi tiết giữa STGW60V60DF và STGW60H65DF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

STGW60V60DF

STMicroelectronics

Lifecycle: Active
Stock: 4362 PCS
Package: TO-247
Series: Transistors - IGBTs - Single

+BOM RFQ

Part B

STGW60H65DF

STMicroelectronics

Lifecycle: Active
Stock: 3361 PCS
Package: TO-247-3
Series: Transistors - IGBTs - Single

+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	STGW60V60DF	STGW60H65DF
Supplier	-	STMicroelectronics
Part Status	Active	Obsolete
IGBT Type	Trench Field Stop	Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	600 V	650 V
Current - Collector(Ic)(Max)	80 A	120 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	240 A	240 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2.3V @ 15V, 60A	1.9V @ 15V, 60A
Power - Max	375 W	360 W
Switching Energy	750µJ (on), 550µJ (off)	1.5mJ (on), 1.1mJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	334 nC	206 nC
Td(on / off) @ 25°C	60ns/208ns	67ns/165ns
Test Condition	400V, 60A, 4.7Ohm, 15V	400V, 60A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	74 ns	62 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

Compare RFQ