FDD3510H

Hình ảnh chỉ để tham khảo

FDD3510H

+BOM

MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk
Series PowerTrench®
Part Status Obsolete
FET Type N and P-Channel, Common Drain
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4.3A, 2.8A
Rds On(Max) @ Id Vgs 80mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 800pF @ 40V
Power - Max 1.3W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Sản phẩm liên quan đến FDD3510H