FDG6303N_G

Hình ảnh chỉ để tham khảo

FDG6303N_G

+BOM

INTEGRATED CIRCUIT

  • Nhà sản xuấtonsemi

  • Ông. Phần #FDG6303N_G

  • Gói SC-88

  • Có sẵn4760

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier onsemi
Package / Case Bulk
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 500mA
Rds On(Max) @ Id Vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 50pF @ 10V
Power - Max 300mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Sản phẩm liên quan đến FDG6303N_G