FDMD8900

Hình ảnh chỉ để tham khảo

FDMD8900

+BOM

MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER

  • Nhà sản xuấtonsemi

  • Ông. Phần #FDMD8900

  • Gói WDFN-12

  • Có sẵn5964

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier onsemi,Flip Electronics
Package / Case Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 19A, 17A
Rds On(Max) @ Id Vgs 4mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 2605pF @ 15V
Power - Max 2.1W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Sản phẩm liên quan đến FDMD8900