GT10J312(Q)

Hình ảnh chỉ để tham khảo

GT10J312(Q)

+BOM

IGBT 600V 10A 60W TO220SM

  • Nhà sản xuấtToshiba Semiconductor và lưu trữ

  • Ông. Phần #GT10J312(Q)

  • Gói TO-252-3

  • Có sẵn8116

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Toshiba Semiconductor and Storage
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 10 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 20 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.7V @ 15V, 10A
Power - Max 60 W
Input Type Standard
Td(on / off) @ 25°C 400ns/400ns
Test Condition 300V, 10A, 100Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 200 ns
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Sản phẩm liên quan đến GT10J312(Q)