GT50J121(Q)

Hình ảnh chỉ để tham khảo

GT50J121(Q)

+BOM

IGBT 600V 50A 240W TO3P LH

  • Nhà sản xuấtToshiba Semiconductor và lưu trữ

  • Ông. Phần #GT50J121(Q)

  • Gói TO-3PL

  • Có sẵn6199

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Toshiba Semiconductor and Storage
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 50 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 100 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.45V @ 15V, 50A
Power - Max 240 W
Switching Energy 1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
Input Type Standard
Td(on / off) @ 25°C 90ns/300ns
Test Condition 300V, 50A, 13Ohm, 15V
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole

Sản phẩm liên quan đến GT50J121(Q)