IRF5810

Hình ảnh chỉ để tham khảo

IRF5810

+BOM

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP

  • Nhà sản xuấtCông nghệ Infineon

  • Ông. Phần #IRF5810

  • Gói TSOT-23-6

  • Có sẵn5999

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Infineon Technologies
Package / Case Tube
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2.9A
Rds On(Max) @ Id Vgs 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 9.6nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 650pF @ 16V
Power - Max 960mW
Mounting Type Surface Mount

Sản phẩm liên quan đến IRF5810