IRF7106

Hình ảnh chỉ để tham khảo

IRF7106

+BOM

MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC

  • Nhà sản xuấtCông nghệ Infineon

  • Ông. Phần #IRF7106

  • Gói SOIC-8

  • Có sẵn7424

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Infineon Technologies
Package / Case Tube
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
FET Type N and P-Channel
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3A, 2.5A
Rds On(Max) @ Id Vgs 125mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 300pF @ 15V
Power - Max 2W
Mounting Type Surface Mount

Sản phẩm liên quan đến IRF7106