Hình ảnh chỉ để tham khảo
MOSFET 2N-CH 12V 10A 8-SOIC
-
Nhà sản xuấtCông nghệ Infineon
-
Ông. Phần #IRF7910PBF
-
Bảng dữ liệu IRF7910PBF DataSheet
-
Gói SOIC-8
-
Có sẵn3458
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | Infineon Technologies |
| Package / Case | Tube |
| Series | HEXFET® |
| Part Status | Discontinued at Digi-Key |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 10A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 15mOhm @ 8A, 4.5V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 1730pF @ 6V |
| Power - Max | 2W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
