IRF8313PBF

Hình ảnh chỉ để tham khảo

IRF8313PBF

+BOM

MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC

  • Nhà sản xuấtCông nghệ Infineon

  • Ông. Phần #IRF8313PBF

  • Gói SOIC-8

  • Có sẵn7996

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Package / Case Tube,Tube
Part Status Discontinued at Digi-Key
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 9.7A
Rds On(Max) @ Id Vgs 15.5mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 90nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 760pF @ 15V
Power - Max 2W
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Sản phẩm liên quan đến IRF8313PBF