IRF9952

Hình ảnh chỉ để tham khảo

IRF9952

+BOM

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Infineon Technologies
Package / Case Tube
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
FET Type N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3.5A, 2.3A
Rds On(Max) @ Id Vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 190pF @ 15V
Power - Max 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Sản phẩm liên quan đến IRF9952