IXFK30N110P

Hình ảnh chỉ để tham khảo

IXFK30N110P

+BOM

MOSFET N-CH 1100V 30A TO264AA

  • Nhà sản xuấtSản phẩm IXYS

  • Ông. Phần #IXFK30N110P

  • Có sẵn6103

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series HiPerFET™, Polar
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 360mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 6.5V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 235 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 13600 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 960W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-264AA (IXFK)

Sản phẩm liên quan đến IXFK30N110P