IXFN360N10T

Hình ảnh chỉ để tham khảo

IXFN360N10T

+BOM

MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B

  • Nhà sản xuấtSản phẩm IXYS

  • Ông. Phần #IXFN360N10T

  • Có sẵn7492

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series HiPerFET™, Trench
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 360A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 2.6mOhm @ 180A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 505 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 36000 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 830W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Supplier Device Package SOT-227B

Sản phẩm liên quan đến IXFN360N10T