IXFN36N110P

Hình ảnh chỉ để tham khảo

IXFN36N110P

+BOM

MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B

  • Nhà sản xuấtSản phẩm IXYS

  • Ông. Phần #IXFN36N110P

  • Có sẵn5933

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series HiPerFET™, Polar
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 36A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 240mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 6.5V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 350 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 23000 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 1000W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Supplier Device Package SOT-227B

Sản phẩm liên quan đến IXFN36N110P