Hình ảnh chỉ để tham khảo
IXFT12N100
+BOMMOSFET N-CH 1000V 12A TO268
-
Nhà sản xuấtSản phẩm IXYS
-
Ông. Phần #IXFT12N100
-
Có sẵn3547
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | IXYS |
| Package / Case | Tube |
| Series | HiPerFET™ |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 1.05Ohm @ 6A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 155 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 4000 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-268AA |
