IXTA08N50D2

Hình ảnh chỉ để tham khảo

IXTA08N50D2

+BOM

MOSFET N-CH 500V 800MA TO263

  • Nhà sản xuấtSản phẩm IXYS

  • Ông. Phần #IXTA08N50D2

  • Có sẵn6664

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series Depletion
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 800mA (Tc)
Rds On(Max) @ Id Vgs 4.6Ohm @ 400mA, 0V
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 12.7 nC @ 5 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 312 pF @ 25 V
FET Feature Depletion Mode
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-263AA

Sản phẩm liên quan đến IXTA08N50D2