IXTA1N200P3HV-TRL

Hình ảnh chỉ để tham khảo

IXTA1N200P3HV-TRL

+BOM

MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV

  • Nhà sản xuấtSản phẩm IXYS

  • Ông. Phần #IXTA1N200P3HV-TRL

  • Có sẵn2226

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier IXYS
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 2000 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 1A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 40Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 23.5 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 646 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-263HV

Sản phẩm liên quan đến IXTA1N200P3HV-TRL