IXTH1N100

Hình ảnh chỉ để tham khảo

IXTH1N100

+BOM

MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO247

  • Nhà sản xuấtSản phẩm IXYS

  • Ông. Phần #IXTH1N100

  • Có sẵn5937

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 1.5A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 11Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4.5V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 480 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247 (IXTH)

Sản phẩm liên quan đến IXTH1N100