Hình ảnh chỉ để tham khảo
NDS9952A
+BOMMOSFET N/P-CH 30V 3.7/2.9A 8SOIC
-
Nhà sản xuấtonsemi
-
Ông. Phần #NDS9952A
-
Bảng dữ liệu NDS9952A DataSheet
-
Gói SOIC-8
-
Có sẵn6639
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | onsemi,Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 3.7A, 2.9A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 80mOhm @ 1A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 320pF @ 10V |
| Power - Max | 900mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
