SI3529DV-T1-E3

Hình ảnh chỉ để tham khảo

SI3529DV-T1-E3

+BOM

MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP

  • Nhà sản xuấtSản phẩm Vishay Siliconix

  • Ông. Phần #SI3529DV-T1-E3

  • Gói TSOT-23-6

  • Có sẵn3280

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR)
Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
FET Type N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2.5A, 1.95A
Rds On(Max) @ Id Vgs 125mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 205pF @ 20V
Power - Max 1.4W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Sản phẩm liên quan đến SI3529DV-T1-E3