SI3588DV-T1-E3

Hình ảnh chỉ để tham khảo

SI3588DV-T1-E3

+BOM

MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP

  • Nhà sản xuấtSản phẩm Vishay Siliconix

  • Ông. Phần #SI3588DV-T1-E3

  • Gói TSOT-23-6

  • Có sẵn5414

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
FET Type N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2.5A, 570mA
Rds On(Max) @ Id Vgs 80mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V
Power - Max 830mW, 83mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Sản phẩm liên quan đến SI3588DV-T1-E3