SI3905DV-T1-E3

Hình ảnh chỉ để tham khảo

SI3905DV-T1-E3

+BOM

MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP

  • Nhà sản xuấtSản phẩm Vishay Siliconix

  • Ông. Phần #SI3905DV-T1-E3

  • Gói TSOT-23-6

  • Có sẵn6391

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR)
Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Rds On(Max) @ Id Vgs 125mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
Power - Max 1.15W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Sản phẩm liên quan đến SI3905DV-T1-E3