SI4505DY-T1-E3

Hình ảnh chỉ để tham khảo

SI4505DY-T1-E3

+BOM

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

  • Nhà sản xuấtSản phẩm Vishay Siliconix

  • Ông. Phần #SI4505DY-T1-E3

  • Gói SOIC-8

  • Có sẵn5115

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR)
Series TrenchFET®
Part Status Active
FET Type N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V, 8V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 6A, 3.8A
Rds On(Max) @ Id Vgs 18mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 20nC @ 5V
Power - Max 1.2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Sản phẩm liên quan đến SI4505DY-T1-E3