SI4511DY-T1-E3

Hình ảnh chỉ để tham khảo

SI4511DY-T1-E3

+BOM

MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

  • Nhà sản xuấtSản phẩm Vishay Siliconix

  • Ông. Phần #SI4511DY-T1-E3

  • Gói SOIC-8

  • Có sẵn3538

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Cut Tape (CT)
Part Status Obsolete
FET Type N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 7.2A, 4.6A
Rds On(Max) @ Id Vgs 14.5mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V
Power - Max 1.1W
Mounting Type Surface Mount

Sản phẩm liên quan đến SI4511DY-T1-E3