SI4942DY-T1-E3

Hình ảnh chỉ để tham khảo

SI4942DY-T1-E3

+BOM

MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8-SOIC

  • Nhà sản xuấtSản phẩm Vishay Siliconix

  • Ông. Phần #SI4942DY-T1-E3

  • Gói SOIC-8

  • Có sẵn6446

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5.3A
Rds On(Max) @ Id Vgs 21mOhm @ 7.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Power - Max 1.1W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Sản phẩm liên quan đến SI4942DY-T1-E3