SI4952DY-T1-E3

Hình ảnh chỉ để tham khảo

SI4952DY-T1-E3

+BOM

MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR)
Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 8A
Rds On(Max) @ Id Vgs 23mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 680pF @ 13V
Power - Max 2.8W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Sản phẩm liên quan đến SI4952DY-T1-E3