SI5947DU-T1-GE3

Hình ảnh chỉ để tham khảo

SI5947DU-T1-GE3

+BOM

MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 6A
Rds On(Max) @ Id Vgs 58mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 480pF @ 10V
Power - Max 10.4W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Sản phẩm liên quan đến SI5947DU-T1-GE3

  • Trích dẫn nhanh chóng

  • Gửi yêu cầu báo giá của bạn cho SI5947DU-T1-GE3 sử dụng biểu mẫu này.chúng tôi sẽ trả lời trong vòng 12 giờ.