SI5980DU-T1-GE3

Hình ảnh chỉ để tham khảo

SI5980DU-T1-GE3

+BOM

MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Cut Tape (CT)
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2.5A
Rds On(Max) @ Id Vgs 567mOhm @ 400mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 3.3nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 78pF @ 50V
Power - Max 7.8W
Mounting Type Surface Mount

Sản phẩm liên quan đến SI5980DU-T1-GE3