SI6562DQ-T1-E3

Hình ảnh chỉ để tham khảo

SI6562DQ-T1-E3

+BOM

MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP

  • Nhà sản xuấtSản phẩm Vishay Siliconix

  • Ông. Phần #SI6562DQ-T1-E3

  • Gói TSSOP-8

  • Có sẵn2018

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
FET Type N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Rds On(Max) @ Id Vgs 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min)
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V
Power - Max 1W
Mounting Type Surface Mount

Sản phẩm liên quan đến SI6562DQ-T1-E3