Hình ảnh chỉ để tham khảo
SI7980DP-T1-E3
+BOMMOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
-
Nhà sản xuấtSản phẩm Vishay Siliconix
-
Ông. Phần #SI7980DP-T1-E3
-
Bảng dữ liệu SI7980DP-T1-E3 DataSheet
-
Có sẵn4806
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | Vishay Siliconix |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Series | TrenchFET® |
| ProductStatus | Obsolete |
| FETType | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FETFeature | Standard |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 20V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 8A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 22mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.5V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 27nC @ 10V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1010pF @ 10V |
| Power-Max | 19.8W, 21.9W |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
