Hình ảnh chỉ để tham khảo
SI8902AEDB-T2-E1
+BOMN-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET
-
Nhà sản xuấtSản phẩm Vishay Siliconix
-
Ông. Phần #SI8902AEDB-T2-E1
-
Bảng dữ liệu SI8902AEDB-T2-E1 DataSheet
-
Gói UFBGA-6
-
Có sẵn2936
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | Vishay Siliconix |
| Package / Case | Tape & Reel (TR) |
| Series | TrenchFET® |
| Part Status | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 24V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 11A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 28mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Power - Max | 5.7W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
