Hình ảnh chỉ để tham khảo
SI8902EDB-T2-E1
+BOMMOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
-
Nhà sản xuấtSản phẩm Vishay Siliconix
-
Ông. Phần #SI8902EDB-T2-E1
-
Bảng dữ liệu SI8902EDB-T2-E1 DataSheet
-
Gói 6-MICRO FOOT®CSP
-
Có sẵn8627
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | Vishay Siliconix |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | TrenchFET® |
| Part Status | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 3.9A |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 1V @ 980µA |
| Power - Max | 1W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
