SIB914DK-T1-GE3

Hình ảnh chỉ để tham khảo

SIB914DK-T1-GE3

+BOM

MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 1.5A
Rds On(Max) @ Id Vgs 113mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 800mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 2.6nC @ 5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 125pF @ 4V
Power - Max 3.1W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Sản phẩm liên quan đến SIB914DK-T1-GE3

  • Trích dẫn nhanh chóng

  • Gửi yêu cầu báo giá của bạn cho SIB914DK-T1-GE3 sử dụng biểu mẫu này.chúng tôi sẽ trả lời trong vòng 12 giờ.