Hình ảnh chỉ để tham khảo
SISS05DN-T1-GE3
+BOMMOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK
-
Nhà sản xuấtSản phẩm Vishay Siliconix
-
Ông. Phần #SISS05DN-T1-GE3
-
Có sẵn12183
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Series | TrenchFET® Gen IV |
| Part Status | Active |
| Base Product Number | SISS05 |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29.4A (Ta), 108A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | +16V, -20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4930 pF @ 15 V |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Packaging | Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) |
