SQJ202EP-T1_GE3

Hình ảnh chỉ để tham khảo

SQJ202EP-T1_GE3

+BOM

MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 20A, 60A
Rds On(Max) @ Id Vgs 6.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 975pF @ 6V
Power - Max 27W, 48W
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Sản phẩm liên quan đến SQJ202EP-T1_GE3

  • Trích dẫn nhanh chóng

  • Gửi yêu cầu báo giá của bạn cho SQJ202EP-T1_GE3 sử dụng biểu mẫu này.chúng tôi sẽ trả lời trong vòng 12 giờ.