Hình ảnh chỉ để tham khảo
TK6A50D(STA4,Q,M)
+BOMMOSFET N-CH 500V 6A TO220SIS
-
Nhà sản xuấtToshiba Semiconductor và lưu trữ
-
Ông. Phần #TK6A50D(STA4,Q,M)
-
Bảng dữ liệu TK6A50D(STA4,Q,M) DataSheet
-
Có sẵn9732
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Package / Case | Tube |
| Series | π-MOSVII |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 1.4Ohm @ 3A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 4.4V @ 1mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±30V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 540 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
