Hình ảnh chỉ để tham khảo
TK8P60W,RVQ
+BOMMOSFET N CH 600V 8A DPAK
-
Nhà sản xuấtToshiba Semiconductor và lưu trữ
-
Ông. Phần #TK8P60W,RVQ
-
Bảng dữ liệu TK8P60W,RVQ DataSheet
-
Có sẵn9438
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | DTMOSIV |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 500mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 3.7V @ 400µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 18.5 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±30V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 570 pF @ 300 V |
| FET Feature | Super Junction |
| Power Dissipation (Max) | 80W (Tc) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | DPAK |
