2N7002K-T1-E3 vs 2N7002E-T1-E3 So sánh

Bảng so sánh chi tiết giữa 2N7002E-T1-E3 và 2N7002K-T1-E3 cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
2N7002E-T1-E3

+BOM

7566 PCS | Sản phẩm Vishay Siliconix
2N7002K-T1-E3

+BOM

3495 PCS | Sản phẩm Vishay Siliconix
Gói SOT-23-3 SOT-23-3
Mô tả MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 240mA (Ta) 300mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 3Ohm @ 250mA, 10V 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 0.6 nC @ 4.5 V 0.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 21 pF @ 5 V 30 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta) 350mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Series - TrenchFET®
Mô hình so sánh : 2N7002E-T1-E3 2N7002K-T1-E3

+BOM RFQ