APT30DQ60BG vs APT30GP60LDLG So sánh

Bảng so sánh chi tiết giữa APT30DQ60BG và APT30GP60LDLG cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
APT30DQ60BG

+BOM

1309 PCS | Công nghệ Microchip
APT30GP60LDLG

+BOM

2964 PCS | Tập đoàn Microsemi
Gói TO-247-2 TO-264-3
Mô tả DIODE GEN PURP 600V 30A TO247 IGBT 600V 100A 463W TO264
Supplier - Microchip Technology
Part Status Active Active
IGBT Type - PT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) - 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) - 100 A
Current - Collector Pulsed(Icm) - 120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic - 2.7V @ 15V, 30A
Power - Max - 463 W
Switching Energy - 260µJ (on), 250µJ (off)
Input Type - Standard
Gate Charge - 90 nC
Td(on / off) @ 25°C - 13ns/55ns
Test Condition - 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Diode Type Standard -
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600 V -
Current - Average Rectified(Io) 30A -
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 2.4 V @ 30 A -
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) -
Reverse Recovery Time (trr) 30 ns -
Current - Reverse Leakage @ Vr 25 µA @ 600 V -
Mô hình so sánh : APT30DQ60BG APT30GP60LDLG

+BOM RFQ