CSD87335Q3D vs CSD87313DMS

Bảng so sánh chi tiết giữa CSD87335Q3D và CSD87313DMS cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD87335Q3D

Texas Dụng cụ

Lifecycle
Active
Stock
6547 PCS
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - FET, MOSFET Arrays
Part B

CSD87313DMS

Texas Dụng cụ

Lifecycle
Active
Stock
6204 PCS
Package
WDFN-8
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification CSD87335Q3D CSD87313DMS
Supplier - Texas Instruments
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type - 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Feature - Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Vgs(th)(Max) @ Id - 1.25V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 28nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 4290pF @ 15V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number CSD87335Q3 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical -
Vgs(th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 15V -
Power - Max 6W -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -