CSD87335Q3D vs CSD87313DMS So sánh
Bảng so sánh chi tiết giữa CSD87335Q3D và CSD87313DMS cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Gói
WDFN-8
Mô tả
MOSFET 2N-CH 30V 8LSON
MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
Supplier
-
Texas Instruments
Series
NexFET™
NexFET™
Part Status
Active
Active
FET Type
-
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Feature
-
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
30V
Vgs(th)(Max) @ Id
-
1.25V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
28nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
4290pF @ 15V
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Base Product Number
CSD87335Q3
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Configuration
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.9V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.4nC @ 4.5V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1050pF @ 15V
-
Power - Max
6W
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
