DG211CSE vs DG211BDJ-E3

Bảng so sánh chi tiết giữa DG211CSE và DG211BDJ-E3 cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
DG211CSE

+BOM

3786 PCS | Analog Devices Inc./Maxim tích hợp
DG211BDJ-E3

+BOM

102 PCS | Sản phẩm Vishay Siliconix
Gói 16-SOIC (0.154, 3.90mm Width) 16-DIP (0.300, 7.62mm)
Mô tả IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC IC SWITCH QUAD SPST 16DIP
Supplier Analog Devices Inc./Maxim Integrated Vishay Siliconix
ProductStatus Obsolete Active
SwitchCircuit SPST - NC SPST - NC
Multiplexer/DemultiplexerCircuit 1:1 1:1
NumberofCircuits 4 4
On-StateResistance(Max) 175Ohm 85Ohm
Channel-to-ChannelMatching(ΔRon) - 2Ohm
Voltage-SupplySingle(V+) - 4.5V ~ 25V
Voltage-SupplyDual(V±) ±4.5V ~ 18V ±4.5V ~ 22V
SwitchTime(TonToff)(Max) 1µs, 500ns 300ns, 200ns
ChargeInjection - 1pC
ChannelCapacitance(CS(off)CD(off)) 5pF, 5pF 5pF, 5pF
Current-Leakage(IS(off))(Max) 5nA 500pA
Crosstalk -90dB @ 100kHz -95dB @ 100kHz
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
MountingType Surface Mount Through Hole
Mô hình so sánh : DG211CSE DG211BDJ-E3

+BOM RFQ