IRF5810TRPBF vs IRF5810

Bảng so sánh chi tiết giữa IRF5810TRPBF và IRF5810 cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
IRF5810TRPBF

+BOM

6356 PCS | Công nghệ Infineon
IRF5810

+BOM

5999 PCS | Công nghệ Infineon
Gói SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mô tả MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Supplier Infineon Technologies Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Obsolete Obsolete
FETType 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 2.9A 2.9A
RdsOn(Max)@IdVgs 90mOhm @ 2.9A, 4.5V 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 9.6nC @ 4.5V 9.6nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 650pF @ 16V 650pF @ 16V
Power-Max 960mW 960mW
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount Surface Mount
Mô hình so sánh : IRF5810TRPBF IRF5810

+BOM RFQ