IRF5803TRPBF vs IRF5810
Bảng so sánh chi tiết giữa IRF5803TRPBF và IRF5810 cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
Gói
TSOT-23-6
Mô tả
MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Supplier
-
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
-
Obsolete
FETType
-
2 P-Channel (Dual)
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
2.9A
RdsOn(Max)@IdVgs
-
90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
-
1.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
9.6nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
650pF @ 16V
Power-Max
-
960mW
MountingType
-
Surface Mount
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
IRF5803
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
112mOhm @ 3.4A, 10V
-
Vgs (Max)
±20V
-
Power Dissipation (Max)
2W (Ta)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
