IRF7103TRPBF vs IRF7101PBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRF7103TRPBF và IRF7101PBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7103TRPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 3890 PCS
Package: SOIC-8
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

+BOM RFQ

Part B

IRF7101PBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 8866 PCS
Package: SOIC-8
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRF7103TRPBF	IRF7101PBF
Supplier	-	Infineon Technologies
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Discontinued at Digi-Key
FET Type	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Standard	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	50V	20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	3A	3.5A
Rds On(Max) @ Id Vgs	130mOhm @ 3A, 10V	100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	3V @ 250µA	3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	30nC @ 10V	15nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	290pF @ 25V	320pF @ 15V
Power - Max	2W	2W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ